[发明专利]双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法在审
| 申请号： | 201911166780.6 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111081777A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 曹震;赵嘉璇;邓世超;邵奕霖;于正洋;焦李成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法。该器件的特点是：基于超结结构，衬底的材料为元素半导体材料；在基区的上部临近超结漂移区的一端向外侧依次形成第一源区、沟道衬底接触、第二源区以及沟槽；器件表面对应于第一源区相应的第一沟道的区域形成平面栅绝缘层以及平面栅电极；沟槽贯穿基区并延伸到下方的缓冲层，沟槽的底面和侧面形成沟槽栅绝缘层，并基于沟槽栅绝缘层内表面以多晶硅填平形成沟槽栅电极；在第一源区、沟道衬底接触和第二源区表面短接形成源电极。本发明的平面栅和沟槽栅结构形成双栅结构，实现电子电流的双沟道导通，有效降低了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 横向 超结双 扩散 金属 氧化物 元素 半导体 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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