[发明专利]阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911166091.5 申请日: 2019-11-25
公开(公告)号: CN110931509B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 韦显旺 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 何辉
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种阵列基板及其制备方法,阵列基板包括基板、遮光层、蚀刻阻挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层和源漏极层,遮光层设置于基板上,蚀刻阻挡层设置于遮光层上,缓冲层覆盖于基板、遮光层及蚀刻阻挡层上,有源层、栅极绝缘层和栅极层依次设置于缓冲层上,层间介质层覆盖于缓冲层、有源层、栅极绝缘层及栅极层上,层间介质层具有第一通孔、第二通孔及第三通孔,源漏极层设置于层间介质层上,源漏极层经处理形成源极和漏极,源极和漏极位于通孔中和层间介质层上。在本申请中,通孔一次蚀刻完成,且不蚀刻所述蚀刻阻挡层,提升了阵列基板的生产效率和产品品质,并减少了生产成本。
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
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