[发明专利]氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法以及复合结构有效
| 申请号： | 201911164821.8 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111029256B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 阮勇;尤政;张高飞;周元楷 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 方晓燕 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本申请提供一种氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法以及复合结构。通过所述氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法，在制备所述碳化硅结构和所述氮化铝结构时，对AlN(氮化铝薄膜层)采用Cl基刻蚀气体，使得AlN侧向腐蚀较小，有效维持AlN的压电性能，在图形化的过程中压电性能不被破坏。同时，通过二氧化硅薄膜层和第二掩膜层(光刻胶掩膜层)形成的SiO |
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| 搜索关键词： | 氮化 碳化硅 复合 结构 图形 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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