[发明专利]鳍式晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201911163069.5 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110854201B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘厥扬;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、进行半导体衬底的刻蚀形成多个鳍体和位于鳍体之间的浅沟槽；步骤二、采用FCVD工艺形成隔离氧化层将浅沟槽完全填充并延伸到浅沟槽外的鳍体上；步骤三、进行第一次平坦化工艺使隔离氧化层的顶部表面和鳍体的顶部表面相平；步骤四、进行第二次刻蚀工艺将隔离氧化层的顶部表面回刻到低于鳍体的顶部表面；在步骤二完成后以及步骤四进行前，在步骤三进行前、进行过程中或完成后包括对隔离氧化层进行强化处理的步骤。本发明能使鳍体之间的隔离氧化层的顶部表面的碗状凹陷减少或消除，减少后续工艺难度和减少器件损失。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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