[发明专利]离子注入角度偏移监控方法及监控系统在审
| 申请号： | 201911162920.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110854033A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 陈娜;时锋;章开 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于离子注入机注入角度监控的离子注入角度偏移监控方法，包括以第一注入角度向高精度硅片进行离子注入；测量在第一注入角度条件下，该高精度硅片的热波值；将步骤S2中测得的热波值与第一注入角度对应的热波值阈值比较；若测得热波值大于等于热波值阈值，则进行离子注入机注入角度校准；若测得热波值小于热波值阈值，则离子注入机继续生产作业。本发明还公开了一种用于离子注入机注入角度监控的离子注入角度偏移监控系统。本发明基于高精度硅片的热波值与离子注入角度的特殊关系，能精准监控高能离子注入机的离子注入角度，并及时发现离子注入机注入角度偏移，保障产品的良率，提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 角度 偏移 监控 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
