[发明专利]氧化铜纳米薄膜、制备方法、电极及气体传感器在审

专利信息
申请号: 201911159600.1 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN110872704A 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 王小梅;黄祖臻;孙发哲 申请(专利权)人: 山东理工大学
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;G01N27/00
代理公司: 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 代理人: 秦景芳
地址: 255049 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种氧化铜纳米薄膜、制备方法、电极及气体传感器,该氧化铜纳米薄膜包括:原位生长于绝缘基底上的海葵状氧化铜纳米结构;其中,所述海葵状氧化铜纳米结构包括多个非线性的氧化铜纳米柱,各所述氧化铜纳米柱包括第一端和第二端,各所述氧化铜纳米柱的第一端固定于所述基底上,各所述氧化铜纳米柱的第一端的周向尺寸大于其第二端的周向尺寸,且各所述氧化铜纳米柱的第二端具有偏向一侧的突起。通过上述方案能够明显提高基于氧化铜材料的气体传感器的性能。
搜索关键词: 氧化铜 纳米 薄膜 制备 方法 电极 气体 传感器
【主权项】:
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