[发明专利]一种多层耦合结构多波段石墨烯探测器及其制备工艺有效
| 申请号: | 201911157414.4 | 申请日: | 2019-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN110911521B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
| 发明(设计)人: | 杨树明;索浩;王一鸣;吉培瑞 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陈翠兰 |
| 地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种多层耦合结构多波段石墨烯探测器及其制备工艺。该探测器包括二氧化硅/硅基底、底层石墨烯、底层金属纳米颗粒、源极、漏极、顶层石墨烯、顶层金属纳米颗粒和背栅。金属电极在两层石墨烯之间的夹层结构,形成双活性层。两层金属纳米颗粒修饰两层石墨烯的结构,实现对双波段、多波段光电响应增强。通过分别调控两层金属纳米颗粒,改变金属纳米颗粒的尺寸、材料及颗粒间距,实现对特定波长入射光选择性吸收增强及多波段的选择性光电探测。背栅电压调控进一步增强光的吸收,提高响应度。该探测器制备工艺简单,实现了室温下的高速、高灵敏、多波段探测,有效解决了双波段、多波段探测的迫切需求。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 多层 耦合 结构 波段 石墨 探测器 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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