[发明专利]基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件及其制备方法在审
申请号: | 201911156849.7 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN110867532A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 廖良生;沈万姗;苑帅;田起生 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 王玉仙 |
地址: | 215168 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件的制备方法,包括以下步骤:将空穴注入层材料的有机溶液涂覆至导电基底表面,退火后,形成空穴注入层;将溴化铯、溴化铅和苯乙基溴化胺在3‑(癸基二甲基铵)丙烷‑1‑磺酸内盐表面活性剂的作用下溶于有机溶剂,得到钙钛矿前驱体溶液,将其涂覆至空穴注入层表面,退火后得到钙钛矿薄膜;采用烷基胺有机溶液处理钙钛矿薄膜的表面,形成发光层;在发光层表面依次制备电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。本发明方法简单便捷,材料易于获取,重复性好,器件性能稳定。通过表面配体交换,钙钛矿薄膜的平整性和均一性得到提高,缺陷的形成得到有效抑制,器件的整体性能得到显著改善。 | ||
搜索关键词: | 基于 表面 控制 钙钛矿 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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