[发明专利]基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911156849.7 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN110867532A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 廖良生;沈万姗;苑帅;田起生 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 王玉仙
地址: 215168 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件的制备方法,包括以下步骤:将空穴注入层材料的有机溶液涂覆至导电基底表面,退火后,形成空穴注入层;将溴化铯、溴化铅和苯乙基溴化胺在3‑(癸基二甲基铵)丙烷‑1‑磺酸内盐表面活性剂的作用下溶于有机溶剂,得到钙钛矿前驱体溶液,将其涂覆至空穴注入层表面,退火后得到钙钛矿薄膜;采用烷基胺有机溶液处理钙钛矿薄膜的表面,形成发光层;在发光层表面依次制备电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。本发明方法简单便捷,材料易于获取,重复性好,器件性能稳定。通过表面配体交换,钙钛矿薄膜的平整性和均一性得到提高,缺陷的形成得到有效抑制,器件的整体性能得到显著改善。
搜索关键词: 基于 表面 控制 钙钛矿 发光二极管 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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