[发明专利]具有均匀pn同质结层的金字塔硅基光阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 201911146023.2 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110923817A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 巩金龙;王拓;李鹤;刘斌;冯时佳;李慧敏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B31/04;C30B29/06;C23C16/40;C23C16/455;C25D3/50;C25D7/12;C25B1/04;C25B11/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于光电化学池半导体电极技术领域，公开了一种具有均匀pn同质结层的金字塔硅基光阴极及其制备方法，在金字塔形貌p型硅基底扩散有均匀的pn同质结层，pn同质结层上原子层沉积有二氧化钛保护层，在二氧化钛保护层上光电沉积有铂纳米颗粒作为催化剂；其制备方法主要由硅片基底金字塔形貌蚀刻、表面清洗、旋涂和高温扩散、二氧化钛层沉积、铂催化剂负载五步构成。本发明有效实现了在金字塔形貌硅基底上制备均匀的pn同质结层，提高了光生电压和稳定性；制备方法操作过程安全简单，原料廉价易得，光电催化性能稳定，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 均匀 pn 同质 金字塔 硅基光 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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