[发明专利]沟槽顶部圆角化的方法在审
| 申请号： | 201911140577.1 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110993497A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 戴楼成;蒋章;赵振 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种沟槽顶部圆角化的方法，在衬底上形成一硬掩膜层并用光刻工艺定义出沟槽区域图形；按沟槽区域图形刻蚀硬掩膜层，衬底上表面为刻蚀停止层；沿硬掩膜层的侧壁湿法刻蚀衬底，形成衬底的浅区域沟槽；采用干法刻蚀工艺沿硬掩膜层的侧壁继续刻蚀衬底，形成与衬底的浅区域沟槽贯通的深区域沟槽；去除硬掩膜层，并对沟槽顶部进行圆角化工艺；对沟槽进行牺牲氧化，将沟槽顶部进一步圆角化。本发明在硬掩膜层打开之后，先进行一步湿法刻蚀，然后再进行沟槽的刻蚀，沟槽刻蚀后利用湿法刻蚀去除硬掩膜层，再利用圆角化工艺对沟槽进行圆角化，可以达到沟槽顶部圆角化的效果，简化了工艺，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 顶部 角化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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