[发明专利]一种MoS2有效

专利信息
申请号: 201911138168.8 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN110850301B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 温新竹;秦少平;刘明真;杨雪婷 申请(专利权)人: 仰恩大学
主分类号: G01R31/378 分类号: G01R31/378;G01R31/387;H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362014 福建省泉*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种MoS2/graphene/MoS2三明治结构及Na离子电池容量预测方法,属于物理化学领域。为了解决现有技术存在实验手段到达不了的原子尺度的精度,实验环境难以实现MoS2/graphene/MoS2材料合成,MoS2二维纳米层状材料的Na离子的理论容量不够高,Na离子在材料中的最佳扩散问题。本发明通过第一性原理构建一种全新的三层MoS2/graphene/MoS2三明治结构材料,首次计算出在相应压力下该材料的稳定结构,得出稳定结构时的最佳层间距,计算出其可能电子迁移相关特性,并根据其结果预测该材料的Na离子嵌入/脱嵌性能,结果表明该材料是可以作为非常有潜力的Na离子电池(NIB)电极(负极)材料。
搜索关键词: 一种 mos base sub
【主权项】:
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