[发明专利]具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法有效
| 申请号： | 201911136582.5 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111197182B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘文达;李翊嘉;张仲逸 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C09K13/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本文描述的是一种适于从微电子器件相对于氧化硅选择性去除多晶硅的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；至少一种季铵氢氧化物化合物；任选地，至少一种链烷醇胺化合物；水混溶性溶剂；选自C |
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| 搜索关键词： | 具有 氧化 腐蚀 抑制剂 蚀刻 溶液 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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