[发明专利]表面电极离子阱与光栅及探测器、及架构的集成方法

摘要

本发明提供表面电极离子阱与光栅及探测器的集成方法，包括：在晶圆上形成硅光栅和硅结构并对硅结构离子注入退火；沉积第一介质层于硅结构的上方刻蚀外延窗口并外延硅或锗，离子注入退火后形成硅基光电探测器；沉积第二介质层并形成第一接触孔；沉积第三介质层并形成若干第一硅通孔和第二硅通孔；沉积第四介质层并形成电极，包括与硅基光电探测器对应的第一电极以及表面电极离子阱的第二电极；自第一电极向下形成第二接触孔和第三接触孔；自第二电极向下形成与硅通孔相对的第三接触孔；研磨晶圆背面露出第一硅通孔和第二硅通孔；沉积并形成钝化层窗口，并在钝化层窗口处形成重布线层和第一微凸块下金属或第一微凸块。本发明还提供架构的集成方法。