[发明专利]一种基于SiC MOSFET频率特性的叠层母排杂散参数提取方法有效
| 申请号： | 201911119872.9 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110850208B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 胡斯登;王明阳;雷云;何湘宁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/26;G01R31/27 |
| 代理公司： | 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33294 | 代理人： | 丁海华 |
| 地址： | 310027 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SiC MOSFET频率特性的叠层母排杂散参数提取方法，该方法首先搭建SiC MOSFET双脉冲测试平台，将叠层母排的待测区段外接于测试平台；在SiC MOSFET的两端并联多组额外电容，利用并联额外电容前后SiC MOSFET关断电压波形中震荡的频率信息，得到多组等效电路模型的谐振角频率，进而计算得到叠层母排的杂散电感和寄生电容，实现叠层母排的杂散参数的提取。本发明利用SiC MOSFET的高开关速度特性，以激发明显的关断电压震荡，相比于传统的间接测量法，减少了人为因素带来的测量偏差；此外，本发明能够测量叠层母排中任意区段的杂散电感与寄生电容，测量具有更高的灵活性与全面性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic mosfet 频率特性 叠层母排杂散 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
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