[发明专利]一种基于碳化硅基的反向开关晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911118668.5 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN110896098B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 梁琳;颜小雪 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/74;H01L21/332
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于脉冲功率器件技术领域,公开了一种基于碳化硅基的反向开关晶体管及其制备方法,晶体管自下而上包括碳化硅N+型衬底(7)、碳化硅P基区(1)、碳化硅N漂移区(3)及阳极发射区;器件采用正斜角终端;器件能够通过阴极短路点即碳化硅阴极P+区(8)传导电流。本发明通过对SiC RSD的结构及制备方法进行改进,将N+型衬底进行减薄,之后周期性断开N+阴极区,并在断开处注入P+型高掺杂离子以形成阴极短路点,从而实现RSD的有效预充过程,克服现有技术中由于无法很好地控制碳化硅外延片的自身缺陷导致器件在利用雪崩来建立预充等离子层时被提前击穿、难以通过利用雪崩击穿来实现有效的预充等离子层建立的难题。
搜索关键词: 一种 基于 碳化硅 反向 开关 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911118668.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top