[发明专利]基于垂直薄膜晶体管的存储器单元

摘要

本文的实施例描述了一种用于半导体装置的技术，所述半导体装置包括沿水平方向定向的衬底，以及在衬底上方包括晶体管和电容器的存储器单元。所述晶体管包括沿大体上正交于所述水平方向的垂直方向定向的栅极电极，以及沿所述垂直方向定向的、围绕所述栅极电极并通过栅极电介质层而与所述栅极电极分离的沟道层。所述电容器在所述衬底上方的层间电介质层内。所述电容器包括与所述晶体管的所述沟道层的第二部分耦合的第一极板，以及通过电容器电介质层而与所述第一极板分离的第二极板。电容器的第一极板也是所述晶体管的源极电极。可以描述和/或要求保护其它实施例。