[发明专利]利用Al掺杂调节稀磁半导体磁学性能的方法及其制品在审
| 申请号： | 201911115345.0 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110993783A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 袁冶;王新强;王琦;康俊杰;王维昀;李永德;王后锦;周生强 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 童海霓 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用Al掺杂调节稀磁半导体磁学性能的方法及其制品，本发明提供的制备方法简单，易于实现，科学利用离子注入结合脉冲激光退火成功实现了Al对(In,Mn)As稀磁半导体的替位掺杂，且保证了掺杂薄膜的单晶外延结构，通过逐渐变化掺杂Al的浓度，实现了对(In,Mn)As稀磁半导体居里温度、磁性强度与矫顽场的精确调控。本方法所调节的(In,Mn)As稀磁半导体外延薄膜制品，可保持良好的单晶外延结构，并且其居里温度、磁性强弱与矫顽场可被连续精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 al 掺杂 调节 半导体 磁学 性能 方法 及其 制品 | ||
【主权项】：
暂无信息
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