[发明专利]一种基于聚偏二氟乙烯薄膜的磁吸式电容探头在审

专利信息
申请号: 201911103070.9 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN110865284A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 李凯恩;罗俊元;周善有;唐兴强;黄继盛 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司临沧供电局
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12;G01R31/14;G01R15/16
代理公司: 昆明正原专利商标代理有限公司 53100 代理人: 金耀生;罗继元
地址: 677099 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种基于聚偏二氟乙烯薄膜的磁吸式电容探头,旨在提供一种信号耦合效率高的电容探头。其包括贴合于设备外壳表面的聚偏二氟乙烯薄膜,依次叠置于聚偏二氟乙烯薄膜表面的导电橡胶垫片、金属电极片及背板;所述背板上设置容置导电橡胶垫片及金属电极片的槽体;所述背板背离设备外壳的一侧设置用于吸附固定设备外壳的汝铁硼磁扣;所述聚偏二氟乙烯薄膜作为被测设备外壳与传感器之间的电容介质,耦合由局部放电电磁波所引起的对地暂态电压;采用汝铁硼磁扣形式的磁吸式贴合结构连接聚偏二氟乙烯薄膜与设备外壳;采用电阻和电容构成检出回路,根据后级放大器带宽范围选择合理的电阻、电容参数;电压信号采用同轴传输由电阻上电压信号引出。
搜索关键词: 一种 基于 聚偏二氟 乙烯 薄膜 磁吸式 电容 探头
【主权项】:
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