[发明专利]一种提升异质结太阳能电池电学性能的工艺方法在审
申请号: | 201911086915.8 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN112864283A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 张杰;宋广华;罗骞 | 申请(专利权)人: | 福建钜能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/074;H01L31/0232 |
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地址: | 351111 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种提升异质结太阳能电池电学性能的工艺方法,所述方法包括如下步骤:制绒清洗;CVD沉积非晶硅薄膜;PVD分别沉积高透光ITO薄膜和低电阻ITO薄膜;制作金属电极,以及蚀刻金属电极区域外的低电阻ITO薄膜。本发明使用了低电阻ITO薄膜跟金属电极形成欧姆接触,降低了接触电阻;同时使用了高透光ITO薄膜作为减反射薄膜,提升了短路电流,从而使异质结电池的转换效率有了较大的提升。所以本发明提供了一个高转换效率、低成本的提升电学性能的方案,对高效异质结电池的量产和发展具有非常重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 异质结 太阳能电池 电学 性能 工艺 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的