[发明专利]硅基IV族合金材料及其外延方法在审
| 申请号： | 201911074678.3 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN110777436A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘香全;郑军;成步文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B23/02;C30B25/16;C30B25/18;H01L21/02;H01L33/34 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基IV族合金材料及其外延方法，该外延方法包括以下步骤：步骤1：将衬底送入高真空的生长腔室，进行脱氢脱氧处理；步骤2：调节衬底温度；步骤3：在衬底上至少共同沉积Ge、Sn和Pb原子，完成材料外延。本发明的锗锡铅合金材料可实现直接带隙，并且与硅基CMOS工艺兼容；制备的锗锡铅合金材料晶体质量良好，相比同组分的锗锡或锗铅材料具有更窄的带隙；为硅基发光和探测器件的制作提供一种新型材料，在望在硅基光电子领域发挥重大的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 硅基 锗锡 铅合金材料 光电子领域 材料外延 硅基发光 合金材料 生长腔室 探测器件 脱氧处理 新型材料 直接带隙 高真空 铅材料 带隙 脱氢 沉积 制备 送入 兼容 制作 | ||
【主权项】：
1.一种硅基IV族合金材料的外延方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：将衬底送入高真空的生长腔室，进行脱氢脱氧处理；/n步骤2：调节衬底温度；/n步骤3：在衬底上至少共同沉积Ge、Sn和Pb原子，完成材料外延。/n
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