[发明专利]一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法在审
| 申请号： | 201911059535.5 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110702490A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 陈奎;贺贤汉;吉远军;胡兴平 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/34 | 分类号： | G01N1/34;G01N15/00;C01B32/956 |
| 代理公司： | 31280 上海申浩律师事务所 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法，包括A、反应液配置：该反应液包括如下组分：5～10重量份的氟化氢铵、20～60重量份质量分数为10％～50％的硫酸溶液或20～50重量份浓度为1～3mol/L的盐酸溶液；B、杂质去除：将半导体切片废液置于聚四氟乙烯反应容器中，并向反应容器中加入过量的反应溶液，常温反应30min～3h后，离心保留下层碳化硅沉淀，而后向沉淀中加入纯水，振荡分散后再次离心处理保留沉淀；C、烘干分散：将步骤B中沉淀烘干，取少量加去离子水后振荡分散，而后添加P‑37和DMAC的混合溶液，搅拌均匀后进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 沉淀 重量份 碳化硅 振荡 烘干 废液 切片 半导体 聚四氟乙烯反应容器 反应液配置 常温反应 反应溶液 氟化氢铵 混合溶液 离心处理 硫酸溶液 去离子水 盐酸溶液 杂质去除 质量分数 提纯 保留 下层 过量 测试 分析 | ||
【主权项】：
1.一种半导体切片废液中碳化硅的提纯分析方法，其特征在于，包括如下步骤：/nA、反应液配置/n该反应液包括如下组分：5～10重量份的氟化氢铵、20～60重量份质量分数为10％～50％的硫酸溶液或20～50重量份浓度为1～3mol/L的盐酸溶液；/nB、杂质去除/n将半导体切片废液置于聚四氟乙烯反应容器中，并向反应容器中加入过量的反应溶液，常温反应30min～3h后，离心保留下层碳化硅沉淀，而后向沉淀中加入纯水，振荡分散后再次离心处理保留沉淀；/nC、烘干分散/n将步骤B中沉淀烘干，取少量加去离子水后振荡分散，而后添加P-37和DMAC的混合溶液，搅拌均匀后进行测试。/n
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