[发明专利]一种忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911054145.9 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110797458B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王军;刘贤超;崔官豪;周泓希;苟军;史佳欣;刘德幸 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，属于半导体器件微纳加工技术领域，方法包括将电阻率满足第一阈值条件、晶向为100的低阻硅片作为低阻硅衬底；在所述低阻硅衬底上制备具有孔阵列的掩膜层；刻蚀所述低阻硅衬底得到具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底，所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底作为第一电极层；去除所述掩膜层，在所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底上依次沉积介质层和金属层，所述金属层作为第二电极层。本发明在低阻硅衬底和金属层均引入三维锥形结构阵列，使忆阻器的开和关状态更明显、更容易受控，且采用低阻硅衬底直接作为下电极，减少了忆阻器膜层，降低忆阻器漏电的概率，同时可增大忆阻器阵列面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器制备方法，其特征在于：所述方法包括：/n将电阻率满足第一阈值条件、晶向为<100>的低阻硅片作为低阻硅衬底；/n在所述低阻硅衬底上制备具有孔阵列的掩膜层；/n刻蚀所述低阻硅衬底得到具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底，所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底作为第一电极层；/n去除所述掩膜层，在所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底上依次沉积介质层和金属层，所述金属层作为第二电极层。/n
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