[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201911052681.5 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129147A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 韩蕙安;刘定一;范彧达;许凯翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在第一导电层的表面区域处形成保护层，通过在保护层上施加含金属的气体来形成金属层，并且通过使用溶液的湿蚀刻操作去除金属层。保护层抵抗湿蚀刻操作的溶液。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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