[发明专利]一种半导体器件及其制造模具有效
| 申请号： | 201911052087.6 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110767557B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杨丽丽;孙震林;张克林;伍小丽;房学红;张素英 | 申请（专利权）人： | 芜湖市智行天下工业设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 项磊 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造模具，涉及半导体制造的技术领域，包括上模及上模腔与下模及下模腔，上模和下模的左边设有浇注口,上模腔的右半部分的下表面或/和下模腔的右半部分的上表面设有利于排气的弧面，弧面为自上模腔或下模腔的中间朝向内引线的方向弯曲至上模或下模的右半部分及右端角落处的连续弧面，且弧面的弧度是由大变小的，且当上模设有弧面时，弧面在上模腔开始弯曲的起始点位于该半导体器件包封的导线弧高最高点的外侧。通过这种制造模具制成的半导体器件避免了因排气不畅而引起的表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 模具 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造模具，包括上模(12a)及上模腔(12aa)与下模(12b)及下模腔(12bb),其特征在于：所述上模(12a)和下模(12b)的左边设有浇注口(12ab),所述上模腔(12aa)的右半部分的下表面或/和下模腔(12bb)的右半部分的上表面设有利于排气的弧面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
