[发明专利]NbN/MoSN/MoS2有效

专利信息
申请号: 201911051514.9 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN110735120B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 鞠洪博;喻利花;许俊华;汪然 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 赵淑芳
地址: 212003*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种NbN/MoSN/MoS2硬质自润滑纳米结构复合膜及制备方法,薄膜材料以Nb为过渡层,采用射频磁控溅射技术,以高纯Nb靶和高纯MoS2靶共聚焦溅射制备,薄膜的厚度在1.5‑2μm之间,由面心立方NbN、密排六方NbN以及非晶MoSN和MoS2构成,其中晶态的NbN被非晶相MoSN和MoS2包裹,呈现出“非晶包裹纳米晶”的微结构特征。本发明所述NbN/MoSN/MoS2纳米结构复合膜兼具高硬度和优异的室温摩擦磨损性能;该复合膜的制备方法具有工艺流程简单,生产效率高的优点;该复合膜可用于高性能、干式切削刀具薄膜材料和工模具表面性能改良的薄膜材料。
搜索关键词: nbn mosn mos base sub
【主权项】:
1.一种NbN/MoSN/MoS
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