[发明专利]一种铁原位掺杂钛酸钠电极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911049478.2 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN110931264B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 刘金平;桂秋月 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 李丹
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种铁掺杂钛酸钠纳米阵列电极材料及其制备方法,所述电极材料由作为基底的钛片和铁掺杂钛酸钠阵列膜构成,其中阵列膜由相互交错的钛酸钠纳米片组装而成,钛酸钠纳米片的厚度为30纳米,均匀密集地分布在钛片表面,并且阵列膜的形貌和尺寸可以通过调控前驱物的比例实行有效调控。本发明中相互交错的纳米片阵列结构,可以使电解液与活性材料充分接触,增加电解液的渗透能力,减小界面电阻;且纳米阵列直接生长在钛片集流体上,缩短了离子的传输路径,并有利于电子的传输;本发明电极材料在各种水系金属离子电解液中展现了显著的氧化还原峰,特别地,在金属离子中性电解液中也展现出明显的氧化还原峰,具备良好的电池特征。
搜索关键词: 一种 原位 掺杂 钛酸钠 电极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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