[发明专利]磁阻装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201911044722.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750942A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 巫建勋;张正平;李建辉;杨岱宜;陈永祥 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻装置及其形成方法。该磁阻装置包含设置于衬底之上的磁阻、覆盖磁阻的侧表面的应力释放结构、设置于磁阻之上的电连接结构、以及设置于电连接结构和应力释放结构之上的钝化层。本发明通过形成应力释放结构覆盖磁阻的侧表面，释放了施加于磁阻的应力，可以避免磁阻的图案边缘处发生局部裂开，进而避免磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题。因此，本发明能提升磁阻装置的制造良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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