[发明专利]氧化镁密封腔的制备方法在审
| 申请号： | 201911039852.0 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112744781A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 熊继军;贾平岗;刘佳;梁庭;谭秋林;刘文怡 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;G01D21/02 |
| 代理公司： | 深圳舍穆专利代理事务所(特殊普通合伙) 44398 | 代理人： | 黄贤炬 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本公开描述了一种氧化镁密封腔的制备方法，其包括：准备工序，准备第一氧化镁晶片和第二氧化镁晶片；图案化工序，对第一氧化镁晶片的掩膜层进行光刻形成预定的图案；刻蚀工序，使用磷酸溶液对第一氧化镁晶片进行湿法刻蚀，并去除掩膜层；以及键合工序，对刻蚀后的第一氧化镁晶片的带有腔体的一面进行表面处理，对第二氧化镁晶片的一面进行表面处理，并将第一氧化镁晶片的第一键合面与第二氧化镁晶片的第二键合面直接键合，以形成由第一氧化镁晶片和第二氧化镁晶片组成的密封体。由此，能够提高这种密封体的密封性能，且利用氧化镁的优良力学性能和动力学特性使其能够很好地适应高温高压下的工作环境。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镁 密封 制备 方法 | ||
【主权项】：
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