[发明专利]一种DRAM存储芯片三维集成封装方法及结构

摘要

本发明公开一种DRAM存储芯片三维集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。提供母片和子片，将所述母片和所述子片堆叠键合。通过如下方法形成母片：提供玻璃基板，在所述玻璃基板上旋涂键合层；在所述键合层上摆放TSV转接芯片和存储芯片；通过塑封料塑封，并减薄至目标厚度；在所述存储芯片上制作粘结层。通过如下方法形成子片：另外提供TSV转接芯片和存储芯片，并将其塑封；形成连接子片中转接芯片和存储芯片的n层重布线；制作凸点。最后用底填料填充凸点缝隙，通过塑封料塑封并减薄至目标厚度；在所述子片背面制作粘结层，再键合一个子片；重复上述步骤，完成多层三维堆叠；最后一层由存储芯片塑封而成，并形成有n层布线和凸点。

主权项

1.一种DRAM存储芯片三维集成封装方法，其特征在于，包括：提供母片和子片，将所述母片和所述子片堆叠键合；其中，/n通过如下方法形成母片：/n提供玻璃基板，在所述玻璃基板上旋涂键合层；/n在所述键合层上摆放TSV转接芯片和存储芯片；/n通过塑封料塑封，并减薄至目标厚度；/n在所述存储芯片上制作粘结层；/n通过如下方法形成子片：/n另外提供TSV转接芯片和存储芯片，并将其塑封；/n形成连接子片中转接芯片和存储芯片的n层重布线；/n制作凸点；/n将所述母片和所述子片堆叠键合包括：/n所述母片和所述子片通过C2W方式键合；/n用底填料填充凸点缝隙，通过塑封料塑封并减薄至目标厚度；/n在所述子片背面制作粘结层，再键合一个子片；重复上述步骤，完成多层三维堆叠；/n最后一层由存储芯片塑封而成，并形成有n层布线和凸点。/n