[发明专利]一种富含表层氧空位的钒酸铋电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911036370.X | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110791777B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 巩金龙;冯时佳;王拓;刘斌;胡聪玲 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25B1/55 | 分类号： | C25B1/55;C25B11/052;C25B11/087;C25B1/04 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光电化学池半导体电极技术领域，公开了一种富含表层氧空位的钒酸铋电极及其制备方法和应用，该电极包括导电衬底层和钒酸铋层，钒酸铋层由光刻蚀改性得到；先采用金属有机物分解的方法在导电衬底上生长出钒酸铋颗粒，之后将其浸没在含有亚硫酸盐的碱性缓冲溶液中，同时施加一定时间和一定波长及强度的光照，即完成整个电极的制备；该电极可组装成光电化学池用于光电化学池光解水制氢。本发明在钒酸铋电极表层处引入氧空位，有效地增加固液界面的电荷分离效率，从而提升了光电化学池的光电转化效率，且操作简单，引入氧空位的效率高，同时，由于不需要借助于真空设备，操作成本极低，有利于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 富含 表层 空位 钒酸铋 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911036370.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂电池模块的焊接方法和装置
- 下一篇：一种具有烘干功能的波纹管加工装置
