[发明专利]一种半导体加工设备有效
申请号: | 201911032893.7 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN110797245B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 李兴存;张受业 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/305;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体加工设备。在本发明的一实施例中,该半导体加工设备包含反应腔室,其内设置有用以承载待加工工件的基座;第一等离子体产生腔,与反应腔室连通设置,用于沿第一方向向待加工工件提供离子束;第二等离子体产生腔,该第二等离子体产生腔与反应腔室连通设置,且第二等离子体产生腔的出口距所述基座的距离大于预设距离,以实现沿第二方向向待加工工件提供自由基;其中,第一方向与第二方向呈一定角度。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体加工设备,其特征在于,包含:/n反应腔室,其内设置有用以承载待加工工件的基座(503);/n第一等离子体产生腔(601),与所述反应腔室连通设置,用于沿第一方向向所述待加工工件提供离子束;/n第二等离子体产生腔(602),所述第二等离子体产生腔(602)与所述反应腔室连通设置,且所述第二等离子体产生腔的出口距所述基座的距离大于预设距离,以实现沿第二方向向所述待加工工件提供自由基;/n其中,所述第一方向与所述第二方向呈一定角度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911032893.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。