[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201911024452.2 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111129290A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 林世杰;宋明远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/10;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种自旋轨道转矩(spin‑orbit torque；SOT)磁性随机存取记忆体(Magnetoresistive random‑access memory；MRAM)(SOT‑MRAM)结构和方法。SOT‑MRAM的SOT通道包含多重重金属层以及一或多个介电除尘层。各介电除尘层夹置于二个相邻重金属层之间。介电除尘层各自包含散布在二个相邻重金属层之间的界面内或相邻于二个相邻重金属层之间的界面的介电材料的离散分子或介电材料的离散分子簇。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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