[发明专利]一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法有效
| 申请号： | 201911024036.2 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110808297B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 胡来归;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/109;H01L31/18;G01B11/00;G01B11/02 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法，其包括衬底，AlGaN/GaN异质结，顶部两侧的金属电极和盖帽层。利用恒定紫外光斑照射位置与器件光电响应之间的关系，实现对光斑位置的定位。本发明采用的AlGaN/GaN异质结，相比硅基光电位置传感器，可以在恶劣环境，如高温、高压等条件下工作，具有光谱选择性感应、对可见与红外的干扰不敏感，分辨率高和响应速度快等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 algan gan 异质结 位置 传感器 制备 方法 检测 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
