[发明专利]温度补偿型表面声波滤波器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911018833.X | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110739390B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 项少华;王冲;王大甲 | 申请（专利权）人： | 中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/312 | 分类号： | H01L41/312;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种温度补偿型表面声波滤波器件及其制造方法，可以将小尺寸的压电晶圆整体上永久键合到大尺寸的硅晶圆上，或者将小尺寸的压电晶圆分割成多个压电晶粒，并永久键合到尺寸符合大尺寸的硅晶圆上，由此在进入后段封装制程(包括植球、切割等)之前，可以在硅晶圆尺寸对应的大尺寸晶圆加工机台上完成基于硅衬底的温度补偿型表面声波滤波器件的制作过程，即使得TC‑SAW滤波器件的制作工艺和大尺寸晶圆的加工工艺兼容，由此，避免大尺寸晶圆代工厂代工TC‑SAW滤波器件时重新购置设备的问题，从而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 补偿 表面 声波 滤波 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种温度补偿型表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供压电晶圆和硅晶圆，所述压电晶圆的尺寸小于所述硅晶圆的尺寸；/n将所述压电晶圆整体上永久键合到所述硅晶圆上，或者，将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒后，将各个压电晶粒永久键合到所述硅晶圆上，以形成晶圆键合结构；/n形成叉指型电极于所述晶圆键合结构中的压电晶圆或各个所述压电晶粒的顶面上；/n将形成有所述叉指型电极的所述晶圆键合结构送入后段封装制程，以通过晶圆切割工艺得到多个温度补偿型表面声波滤波器件。/n
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