[发明专利]一种半导体薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201911017277.4 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110643967A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 闫一方 | 申请（专利权）人： | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/38 | 分类号： | C23C14/38;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王志敏 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体薄膜及其制备方法，涉及半导体材料技术领域。该半导体薄膜及其制备方法，其薄膜组成为五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬，其中五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬的摩尔比为0.3:0.3:0.4，所述薄膜的厚度为30‑40nm，包括以下步骤：S1.准备好五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬，将五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬混合均匀，对其进行煅烧，然后依次进行造粒压片和烧结,得到陶瓷靶材。通过通入掺杂气体为SiH | ||
| 搜索关键词： | 半导体薄膜 五氧化二铌 二硼化钛 氧化铬 制备 半导体薄膜表面 半导体材料 薄膜组成 掺杂气体 强光照射 陶瓷靶材 网络结构 烧结 摩尔比 压片 造粒 煅烧 薄膜 离子 衰退 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜，其特征在于：其组成为五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬，其中五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬的摩尔比为0.3:0.3:0.4，所述薄膜的厚度为30-40nm。/n
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