[发明专利]一种利用电化学阳离子插层制备MXenes的方法有效
| 申请号： | 201911012028.6 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110714218B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 丁杨彬;邹俊健;袁鑫航;李晶晶;王奕龙;倪皓飞;盛泽宇;唐培松 | 申请（专利权）人： | 湖州师范学院 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C23C8/64;C25F3/02;H01G11/30 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 313000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
一种利用电化学阳离子插层制备MXenes的方法，涉及一种制备MXenes的方法。本发明是要解决现有的HF刻蚀方法制备的MXene材料残留的端基‑F在用作超级电容器电极时对比电容会产生负面影响的技术问题。本发明：一、TiO |
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| 搜索关键词： | 一种 利用 电化学 阳离子 制备 mxenes 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用电化学阳离子插层制备MXenes的方法，其特征在于利用电化学阳离子插层制备MXenes的方法是按以下步骤进行的：/n一、TiO
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