[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201911004654.0 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112699866A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李新辉;曾汉良;林学荣 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/20 | 分类号： | G06K9/20;G06K9/00;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法。此方法包括在基板中形成感测像素阵列、在基板上形成多个透光柱、以及在基板之上形成遮光层以覆盖透光柱。上述感测像素阵列包括多个感测像素，且上述透光柱对应设置于感测像素阵列的感测像素之上。上述遮光层为多层膜结构。此方法更包括进行平坦化工艺，以露出透光柱的顶表面。通过将填充在透光柱之间的遮光层形成为多层膜结构，可以避免因遮光层太软所导致的透光柱倾倒或因遮光层太硬而产生的裂缝，进而提升半导体装置的可靠度以及工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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