[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201911004133.5 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111384179A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 内海诚;荒冈干 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供能够有效且尺寸精度良好地形成在与沟槽侧壁分离的部分具有高浓度区的基区的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法。p型基区(2)由p |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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