[发明专利]一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法有效
| 申请号： | 201910999012.2 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN111081756B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;龚大卫;郑泽人;王玉林 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 225101 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法，包括衬底，位于衬底左上方的阱区域，阱区域右侧为局部高掺注入区域；阱区域上方依次离子注入形成第二导电类型重掺区和第一导电类型重掺区；阱区域重掺区上方设置发射极，衬底右上方依次生长栅氧化层和栅极，衬底下方设置收集极。本发明通过区域注入方式替代普遍注入方式，确保在阱周边3um～5um的区域进行注入，栅极下方其余位置不进行注入，可以实现注入浓度的提升，从5E11～1E12atom/cm |
||
| 搜索关键词： | 一种 优化 米勒 电容 导通压降 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州国扬电子有限公司，未经扬州国扬电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910999012.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光转换层、背光模块及包括其的显示装置
- 下一篇：用于喷射流体的方法
- 同类专利
- 专利分类
