[发明专利]半导体装置和形成半导体装置的方法

摘要

提供了一种半导体装置和一种形成该半导体装置的方法。所述方法包括在下结构上形成模制结构，模制结构具有交替地且重复地堆叠的层间绝缘层和栅极层。栅极层中的每个由顺序堆叠的第一层、第二层和第三层形成。第一层和第三层包括第一材料，第二层包括具有与第一材料的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的第二材料。形成为穿过模制结构的孔暴露层间绝缘层的侧表面和栅极层的侧表面。以与第一材料的蚀刻速度不同的第二材料的蚀刻速度来蚀刻由孔暴露的栅极层，以建立凹进区域。