[发明专利]一种GaN功率放大器保护电路在审
| 申请号： | 201910989155.5 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN112688645A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金晓;李磊;曹刚;常华 | 申请（专利权）人： | 上海诺基亚贝尔股份有限公司;诺基亚通信公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52 |
| 代理公司： | 北京启坤知识产权代理有限公司 11655 | 代理人： | 姜冰莹 |
| 地址： | 201206 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种GaN功率放大器保护电路，包括供电控制电路，检测控制电路以及电压提供电路。所述供电控制电路包括场效应管以及控制模块，所述控制模块与所述场效应管相连接以控制所述场效应管的导通或截止，所述场效应管的漏级直接或间接地连接至电源电压输入端，所述场效应管的源级直接或间接地连接至GaN功率放大器的漏级；所述检测控制电路包括第一二极管，所述第一二极管的负极连接至所述GaN功率放大器的漏级且正极直接或间接地连接至所述控制模块；所述电压提供电路连接至所述检测控制电路的一端，用于输出第一电压。本申请的GaN功率放大器保护电路能完全消除栅极电压未正确加载时的GaN硬件烧毁问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 功率放大器 保护 电路 | ||
【主权项】：
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