[发明专利]片上微型热电子源及其制作方法在审
| 申请号： | 201910987503.5 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110610839A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 魏贤龙;王雨薇 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01J37/075 | 分类号： | H01J37/075 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片上微型热电子源及其制作方法，在衬底上形成至少一个电子发射体单元，并在衬底上形成控制电极，电子发射体单元相对两端分别连接一控制电极，用于为电子发射体单元提供电压，以使得电子发射体单元因为焦耳效应发热出射电子，衬底与电子发射体单元相对的区域具有沟槽，以降低电子发射体单元通过衬底的热量耗散，提高加热效率。可见，本发明技术方案提供了一种新型的片上微型热电子源，兼具传统热发射电子源的发射电流大、真空度要求低、发射性能稳定等诸多优点，且可以直接在衬底上形成大规模的阵列电子发射体单元以及对应的控制电极，具有较高的阵列集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子发射体 衬底 控制电极 热电子 发射体单元 真空度要求 发射电流 发射性能 加热效率 焦耳效应 热量耗散 阵列电子 集成度 电子源 热发射 出射 发热 制作 | ||
【主权项】：
1.一种片上微型热电子源，其特征在于，包括：/n衬底；/n设置在所述衬底表面的至少一个电子发射体单元；/n设置在所述衬底表面的控制电极，所述电子发射体单元相对两端分别连接一所述控制电极，用于为所述电子发射体单元提供电压，以使得所述电子发射体单元因为焦耳效应发热出射电子；/n其中，所述衬底与所述电子发射体单元相对的区域具有沟槽，以降低所述电子发射体单元通过所述衬底的热量耗散，提高加热效率。/n
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