[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备工艺，异质结太阳电池包括：N型单晶硅片、本征非晶硅膜层一、N型非晶硅膜层、本征非晶硅膜层二、P型非晶硅膜层、导电性薄膜层和金属电极，N型单晶硅片的正面依次沉积本征非晶硅膜层一、N型非晶硅膜层，N型单晶硅片的背面依次沉积本征非晶硅膜层二、P型非晶硅膜层；本征N型非晶硅层和本征P型非晶硅层的外侧均沉积有导电性薄膜层，导电性薄膜层的外侧均印刷有金属电极。本发明导电性薄膜层结构导电层面积较大，掩膜区域宽度较小，且不容易出现绕镀的现象，不会覆盖N型硅片的边缘导致异质结短路，不需要考虑短接导致漏电流过高的情况，从而有利于提升异质结太阳能电池的转换效率。