[发明专利]包括具有铁电层和非铁电层的电介质结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201910983006.8 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111384175A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘香根;李世昊;李在吉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括具有铁电层和非铁电层的电介质结构的半导体器件。根据一个实施例的半导体器件包括：第一电极；电介质结构，其设置在第一电极上并且具有铁电层和非铁电层；以及第二电极，其设置在电介质结构上。铁电层具有正矫顽电场和负矫顽电场，所述正矫顽电场和所述负矫顽电场具有不同的绝对值。电介质结构具有非铁电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 铁电层 非铁电层 电介质 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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