[发明专利]集成芯片、高电压器件及形成高电压晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 201910982784.5 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111987148A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 何嘉政;卢卉庭;王培伦;钟于彰;周君冠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及一种包括设置在漂移区之上的场板的集成芯片。第一栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。刻蚀终止层在侧向上从第一栅极电极的外侧壁延伸到漏极区。刻蚀终止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在上覆在衬底上的第一层间介电(ILD)层内。场板上覆在漂移区上。场板的顶表面与第一栅极电极的顶表面对准，且场板的底表面垂直地位于第一栅极电极的底表面上方。场板及第一栅极电极分别包含金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 电压 器件 形成 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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