[发明专利]一种芯片封装方法及封装结构

摘要

本申请提供一种芯片封装方法及芯片封装结构，通过在晶圆的焊垫上设置钝化层，然后在钝化层上形成第一金属键合层，在基板上形成第二金属键合层，通过第一金属键合层和第二金属键合层的键合，将基板和晶圆键合封装在一起，基板上设置有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层与第二金属键合层相接设置；在晶圆和基板键合后，对晶圆进行半切割，切割到暴露第一金属键合层，再形成第二屏蔽层，第二屏蔽层与第一金属键合层电性连接，从而得到由第一屏蔽层、第二金属键合层、第二屏蔽层和第一金属键合层共同组成的电磁屏蔽结构，该屏蔽结构近似封闭，进而提高了电磁屏蔽效果。

主权项

1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：/n提供晶圆，所述晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面上至少形成有两个功能电路区和位于所述功能电路区周围的多个焊垫；/n在所述焊垫上形成钝化层，所述钝化层包括中间区域和围绕中间区域的边缘区域；/n在所述钝化层上形成第一金属键合层，所述第一金属键合层覆盖所述钝化层的边缘区域；/n提供基板，所述基板包括相对设置的第三表面和第四表面，所述基板的第三表面内形成有与所述第一金属键合层待键合的第二金属键合层，以及在所述晶圆和所述基板键合后，与所述功能电路区对应设置的第一屏蔽层，且，所述第一屏蔽层与所述第二金属键合层相接；/n将所述第一金属键合层与所述第二金属键合层键合，所述第二金属键合层至少暴露所述钝化层的部分中间区域，使得所述第三表面与所述钝化层背离所述晶圆的表面贴合在一起；/n从所述晶圆的第二表面向所述基板进行半切割，切割凹槽至少暴露所述第一金属键合层；/n在所述晶圆的第二表面以及所述切割凹槽内形成第二屏蔽层，所述第二屏蔽层与所述第一金属键合层电性连接。/n