[发明专利]写入与读取目标存储器单元的方法及其集成电路在审

专利信息
申请号: 201910977974.8 申请日: 2019-10-15
公开(公告)号: CN112242163A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 周昀辰;林永丰;何信义 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种写入与读取目标存储器单元的方法及其集成电路,用以适应在读取窗口或写入窗口中的变化,该变化是由处于每一逻辑状态中并与目标单元共享存取线的半选定单元的数目变化引起的。大致来说,在读取操作或写入操作的一个区段中的存取线上侦测漏电流,并调整在该操作的第二区段中侦测或产生的读取电流或写入电流以补偿经侦测的漏电流。若目标单元的字线地址尚未改变且经追踪的漏电流参考值尚未因其他原因而变为无效,则在后续读取操作或写入操作中可省略第一区段。
搜索关键词: 写入 读取 目标 存储器 单元 方法 及其 集成电路
【主权项】:
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