[发明专利]垂直结构的复合晶型金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910975945.8 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110867491A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈荣盛;尹雪梅;李国元;邓孙斌;郭海成 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 何文聪 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构的复合晶型金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该晶体管包括衬底、源极、间隔层、漏极、有源层、双层栅介质层、栅极及测试电极；源极设置于衬底表面；间隔层设置于源极及衬底表面；漏极设置于间隔层表面；有源层设置于漏极及源极表面；双层栅介质层设置于漏极、有源层及源极表面；栅极设置于双层栅介质层表面，且栅极比有源层在衬底上的投影范围小；测试电极设置于源极及漏极表面，且与双层栅介质层均有接触；栅极、源极及漏极在有源层的投影范围均有交叠；有源层是具有复合晶型的无机金属氧化物。该晶体管具有较低的关态电流及栅泄漏电流。该发明广泛应用于半导体技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 复合 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910975945.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
