[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器有效
| 申请号： | 201910972492.3 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112736190B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括垂直各向异性增强层，其是在氧化镁层中进行掺杂而形成矿盐晶体结构。本申请通过岩盐晶体结构的垂直各向异性增强层的设计，在不损伤自由层/垂直各向异性增强层的界面各向异性的前提条件下，降低了电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与超小型MRAM电路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 随机 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910972492.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
