[发明专利]光刻胶辅助局域加热的磁存储单元、制备方法和逻辑器件有效
| 申请号： | 201910971536.0 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN111370569B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王开友;曹易 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶辅助局域加热的磁存储单元、制备方法和逻辑器件；其中，光刻胶辅助局域加热的磁存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，位于衬底上，通过在自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，位于自旋轨道耦合层上，磁性自由层包括遮挡区域和加热区域，遮挡区域上覆盖有光刻胶，通过对磁性自由层的加热区域进行加热产生磁性自由层成分、结构或磁性的梯度变化，并联合自旋流使磁性自由层的磁矩发生定向翻转。本发明可以仅使需要局域加热的位置暴露，而其它位置被光刻胶覆盖，利用光刻工艺(包括浸入式光刻工艺和极紫外光刻工艺等)，其图形可以做到纳米级别，可以实现器件的小型化、提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 辅助 局域 加热 存储 单元 制备 方法 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
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